چینی‌ها حافظه رم پیشرفته LPDDR5X با سرعت فوق‌العاده 10667 مگاهرتزی ساختند
رم و پردازنده قدرتمند و بسیار سریع، آخرین قله‌های فتح نشده چین برای خودکفایی کامل در بازار سخت‌افزار هستند. اما به نظر با پیشرفته‌های اخیر باید دسترسی به چنین فناوری‌هایی را بیش از پیش، قریب الوقوع بدانیم. در همین زمینه به تازگی شرکت چینی CXMT از جدیدترین حافظه‌های DDR5-8000 و LPDDR5X-10667 خود رونمایی کرده که با سرعت و ظرفیت بالا، عملکردی مشابه محصولات سامسونگ، SK Hynix و Micron ارائه می‌دهند.
بنابر گزارش ICViews و به نقل از TechPowerUp، در نمایشگاه بین‌المللی نیمه‌هادی چین ۲۰۲۵، شرکت چینی CXMT از جدیدترین ماژول‌های حافظه DDR5-8000 و LPDDR5X-10667 خود رونمایی کرده است. این حافظه‌ها پیشرفته‌ترین تولیدات داخلی CXMT به شمار می‌روند و در عملکرد با محصولات مطرح جهانی کره‌ای و آمریکایی قابل مقایسه هستند. رشد زیرساخت‌های سرور چین برای محاسبات سنتی و هوش مصنوعی تاکنون محدود به توان تولید سیلیکون داخلی بوده است و معرفی این حافظه‌ها گامی مهم در کاهش این محدودیت محسوب می‌شود.
مشخصات و عملکرد حافظه‌های رم پرسرعت CXMT
حافظه DDR5 جدید CXMT با سرعت ۸۰۰۰ و حافظه LPDDR5X با سرعت ۱۰۶۶۷ مگاترنسفر بر ثانیه فعالیت می‌کنند. از دید فنی این سرعت در حد آخرین محصولات سامسونگ، از جمله LPDDR6 و LPDDR5X با سرعت ۱۰۷۰۰ MT/s قابل رقابت است.
ماژول‌های LPDDR5X جدیدی شرکت CXMT در ظرفیت‌های ۱۲ و ۱۶ گیگابیت و DDR5 در ظرفیت‌های ۱۶ و ۲۴ گیگابیت عرضه می‌شوند. این ماژول‌ها برای استفاده در سرورها و مراکز داده در قالب RDIMM، MRDIMM و TFF MRDIMM بسته‌بندی می‌شوند.
همچنین، UDIMMها برای دسکتاپ‌ها و کامپیوترهای معمولی و SODIMMها برای لپ‌تاپ‌ها و دستگاه‌های جمع‌وجور طراحی شده‌اند. ماژول‌های CUDIMM و CSODIMM نیز برای بازار اورکلاکینگ و ورک‌استیشن‌های حرفه‌ای مناسب هستند. در بازار سرور نیز CXMT با ارائه RDIMMها در ظرفیت‌های مختلف، نیازهای پیکربندی حافظه پلتفرم‌های اصلی را پوشش می‌دهد.
پیشرفت‌های فناوری DRAM چینی
در آذر ماه پارسال بود که برای اولین بار، TechInsights تراشه‌های جدید ۱۶ نانومتری DRAM شرکت CXMT را در ماژول‌های Gloway DDR-6000 UDIMM شناسایی کرد که نشان‌دهنده پیشرفت چشمگیر صنعت حافظه چین تلقی می‌شود. این تراشه‌های ۱۶ گیگابیتی DDR5 با ابعاد ۶۷ میلی‌متر مربع و چگالی ۰.۲۳۹ گیگابیت بر میلی‌متر مربع، ۲۰ درصد کوچک‌تر از نسل G3 شرکت CXMT هستند. این پیشرفت ادامه مسیر شرکت از فرایندهای ساخت ۲۳ نانومتری (G1) و ۱۸ نانومتری (G2) تا نسل چهارم G4 است.
با این حال باید اشاره کنیم که، علی‌رغم این موفقیت‌ها، در بحث توان تولید CXMT همچنان حدود سه سال عقب‌تر از سامسونگ، SK Hynix و مایکرون است و به همین دلیل نباید انتظار داشت که کمبود جهانی DRAM به‌زودی و با ورود چینی‌ها به بازار حل شود.
